Super praktični nasveti: Inšpekcijske zahteve in metode elektronskih komponent----polprevodniških naprav (2-Kaj je trioda 3)
Oct 27, 2023
Pustite sporočilo
https://www.kaichuanpower.com/
Previdnostni ukrepi pri uporabi in metode odkrivanja klasifikacije učinka polja: elektronke MOS z učinkom polja so razmeroma "sopične". To je zato, ker je njegov vhodni upor zelo visok, kapacitivnost med vrati in izvorom pa zelo majhna. Z lahkoto se napolni z indukcijo zunanjih elektromagnetnih polj ali statične elektrike, majhna količina naboja pa lahko tvori zelo visoko napetost (U) na medelektrodni kapacitivnosti. =Q/C), bo cev poškodovana. Zato se ob izstopu iz tovarne vsak zatič zvije skupaj ali vgradi v kovinsko folijo, da sta pola G in S enaka potencialu, da se prepreči kopičenje statičnih nabojev. Ko cev ni v uporabi, je treba tudi vse kable na kratko skleniti. Pri merjenju je potrebna posebna previdnost in sprejeti ustrezne antistatične ukrepe. Pred merjenjem naredite kratek stik med človeškim telesom in ozemljitvijo, preden se dotaknete nožic MOSFET. Najbolje je, da žico na zapestju povežete z zemljo, da ohranite človeško telo in zemljo enak potencial. Ponovno ločite zatiče in odstranite žice. Nastavite multimeter na R×100 in najprej določite vrata. Če je upor določenega zatiča in drugih zatičev neskončen, to dokazuje, da je ta zatič vrata G. Zamenjajte merilne kable in ponovno izmerite. Vrednost upora med S in D mora biti nekaj sto ohmov do nekaj tisoč ohmov. V času, ko je upor manjši, se črni merilni kabel priključi na D-pol, rdeči pa na S-pol. Pri izdelkih serije 3SK, proizvedenih na Japonskem, je S pol povezan z ohišjem cevi, tako da je S pol enostavno določiti. Pustite pol G v zraku, povežite črni preskusni kabel s polom D in rdeči preskusni kabel s polom S, nato pa se s prstom dotaknite pola G. Igla merilnika bi se morala močno upogniti. Poljski tranzistor MOS z dvojnimi vrati ima dvoje vrat G1 in G2. Če jih želite razlikovati, se lahko z rokami dotaknete polov G1 oziroma G2. Med njimi ima drog G2 večji odklon urnega kazalca v levo. Trenutno imajo nekatere cevi MOSFET zaščitne diode med poli GS, tako da ni potrebe po kratkem stiku vsakega nožica. O drugih sorodnih znanjih se ne bom spuščal v podrobnosti, če jih lahko vsak razume.
